應用領域：

該系統可用于開發納米級的單層及多層功能膜和復合膜 , 可鍍金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷膜、介質復合膜和其它化學 反應膜等。

螺紋孔基片盤：

基本配置：

◆真空腔室：350×400mm 不銹鋼 D 形腔體。前門鉸鏈方便真空室清理；腔室底板，頂部和側面裝有腔室內硬件接口；前 門上配直徑 80 玻璃觀察窗（含手動防污染擋板、可拆洗防污玻璃）；腔體可選擇水冷。 

◆抽氣系統： 采用復合分子泵 + 直聯旋片泵作為真空抽氣系統； 主抽泵：分子泵抽速≥ 600L/S，氮氣壓縮比≥ 109 ； 前級泵：VRD-24 機械泵及電磁閥，抽速：6L/S 主抽閥： CCD-150 超高真空電動插板閥 

 * 真空系統可以升級為進口分子泵和渦旋干泵。 

◆真空測量：數顯復合真空計： “兩低一高”全量程數顯復合真空計； 

* 真空測量可以升級為進口全量程冷陰極真空計 

◆極限真空：<5×10-5Pa ◆恢復真空：<6.7×10-4Pa(< 45 min) 

◆磁控濺射靶：（最多安裝三個磁控濺射靶）磁控濺射靶磁路模塊化設計；磁控靶可手動調節濺射角度，靶與基片的距離可調； 其中一個靶位可濺射磁性材料（如鎳或鐵等）靶材大小為直徑 50.8mm，建議厚度≤ 5mm，靶材利用率超過 40%； 

◆鍍膜方式：由下往上濺鍍或從上往下濺射，可依需求采用 Confocal（共焦）或 Face-to-Face（面對面）； 

◆濺射電源： 射頻電源：功率 300W，輸出頻率：13.56MHz，全自動匹配 數量：1 臺 直流電源：最大輸出功率：500W；輸出電壓：0 ～ -800V 可調 數量：1 臺 

◆工藝氣路（可選）：三路質量流量計控制的氣路（Ar、O2、N2 ）等 

◆樣品臺：可容納樣品最大尺寸：4 英寸樣品托一個 , 配擋板，轉速 0-30rpm 連續可調 ; 樣品可加熱控溫， 溫度范圍：室溫 -600℃，控溫精度 ±0.5℃； ◆系統控制：15 英寸觸摸屏 +PLC 控制（可選手動按鈕）

選擇配置：

◆樣品臺可水冷，采用直接式水冷形式，水冷不控溫 

◆可選進口濺射電源 

◆磁控靶可選用歐美知名品牌 

◆全量程真空計 (Inficon) 

◆電容式隔膜真空計 ( 測量濺射工作壓力 ) 

◆樣品托 : 不銹鋼、鋁或銅，基片盤上有螺紋孔。

系統要求標準配置：

◆工藝氣體 :25psi，純度 99.99% 以上 

◆工作氣體 : 干燥壓縮空氣、氮氣 

◆電 源 : 單相 220V, 50Hz, 32A 

◆冷 凍 水 :18-25℃ , 3L/min，壓力 <0.4MPa