應用領域：

系統可用于開發納米級的單層及多層功能膜和復合膜 , 可鍍金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷膜、介質復合膜和其它化學反應膜等。

  四靶共聚焦濺射：

基本配置：

◆真空腔室： D 型圓筒形，尺寸約 ф450×H450mm，前開門結構；采用鉸鏈、鋁制前門，手動，上下 2 個杠桿把手，膠圈密封， 腔體內表面采用電解拋光處理；外表面采用拉絲拋光，無擦傷及劃痕。 

◆抽氣系統：采用復合分子泵 + 直聯旋片泵作為真空抽氣系統； 主抽泵：分子泵抽速≥ 1200L/S，氮氣壓縮比≥ 109 ； 前級泵：VRD-30 機械泵及電磁閥，抽速：8L/S 主抽閥： CCD-200 超高真空電動插板閥 

* 真空系統可以升級為進口分子泵和渦旋干泵。 

◆真空測量： 數顯復合真空計： “兩低一高”全量程數顯復合真空計； 自動恒壓采用進口薄膜壓強真空規測量，范圍：13Pa-0.013Pa（可選擇配置） 

* 真空測量可以升級為進口全量程冷陰極真空計 

◆極限真空：<5×10-5Pa 

◆恢復真空：<6.7×10-4Pa(< 45 min) 

◆磁控濺射靶：（最多四支 2&3 英寸磁控濺射靶）磁控濺射靶磁路模塊化設計；磁控靶可手動調節濺射角度，靶與基片的距 離可調；其中一個靶位可濺射磁性材料（如鎳或鐵等）靶材大小為直徑 50.8mm，厚度≤ 5mm，靶材利用率超過 40%； 

◆鍍膜方式：由下往上濺鍍或從上往下濺射，可依需求采用 Confocal（共焦）或 Face-to-Face（面對面）； 

◆濺射電源（可選配置）： 射頻電源： 功率 500W，輸出頻率：13.56MHz，全自動匹配 數量：1 臺 直流濺射電源：最大輸出功率：500W；輸出電壓：0 ～ -800V 可調 數量：2 臺 

◆工藝氣路：三路質量流量計控制的氣路（Ar、O2、N2 ）等 

◆樣品臺：可容納樣品最大尺寸：6 樣品托一個 , 配擋板， 轉速 0-30rpm 連續可調 ; 樣品可加熱控溫， 溫度范圍：室溫 -600℃，控溫精度 ±0.5℃； 

◆控制單元：15 英寸觸摸屏 +PLC 控制（可選手動按鈕）

選擇配置：

◆樣品臺可水冷，采用直接式水冷形式，水冷不控溫 ◆可選進口濺射電源 

◆磁控靶可選用進口知名品牌 

◆全量程真空計 (Inficon) 

◆電容式隔膜真空計 ( 測量濺射工作壓力 ) 

◆樣品托 : 不銹鋼、鋁或銅，基片盤上有螺紋孔

系統要求標準配置：

◆工藝氣體 :25psi，純度 99.99% 以上 

◆工作氣體 : 干燥壓縮空氣、氮氣 

◆電 源 : 三相 380V, 50Hz, 32A 

◆冷 凍 水 :18-25℃ , 6L/min，壓力 <0.4MPa