DH-GCVD 系列 石墨烯化學氣相沉積系統
DH-GCVD 系統兼容真空及常壓兩種主流的生長模式，可采用計算機自動控制，工作在常壓氣氛或真空條件，通過控制，可以在 10 -3 Torr—760Torr 之間的任意氣壓下進行石墨烯的生長。既可以生長出六邊形的石墨烯單晶，也可以生長出花瓣狀的石墨烯單晶。整個石墨烯生長過程的重要參數由計算機進行精確控制，包括溫度、氣體流量等。控制軟件內置多種生長優化參數，用戶僅將襯底放入樣品腔，即可開始生長。將為科研人員提供大量的研究機會，以及為實現各種科學想法創造了條件。
主要用途和適用范圍
系統主要為高等院校，科研院所等單位的實驗室提供專業的石墨烯生長設備。是一套完備的石墨烯制備系統，包括硬件和軟件部分。
技術參數
下一個：ISSP-SHF 單晶爐
